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IRF9630PBF 供货情况
IRF9630PBF产品购买
IRF9630PBF 中文资料-数据手册-PDF资料
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 6.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 800 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 29 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 74 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 24 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 27 ns
系列: IRF
1000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 28 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
零件号别名: IRF9630PBF-BE3
单位重量: 2 g
工厂包装数量
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