更多详情参数或规格书请联系
CSD87330Q3D 供货情况
CSD87330Q3D 产品购买
CSD87330Q3D中文资料-数据手册-PDF资料
制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: LSON-CLIP-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V, 750 mV
Qg-栅极电荷: 4.8 nC, 9.6 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 6 W
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Dual
开发套件: EVMK2GXS, EVMK2G, EVMK2GX
下降时间: 1.7 ns, 1.6 ns
正向跨导 - 最小值: 76 S, 51 S
高度: 1.5 mm
长度: 3.3 mm
产品类型: MOSFETs
上升时间: 6.8 ns, 7.5 ns
系列: CSD87330Q3D
工厂包装数量2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 9.4 ns, 9.1 ns
典型接通延迟时间: 4.5 ns, 4.5 ns
宽度: 3.3 mm
单位重量: 68 mg
以上文章由天卓伟业电子提供,天卓伟业电子是您咨询元器件选择的平台，我们将为您提供高效、方便、理想的服务，为您提供实惠的价格。团队将为您提供高效的服务。您的信任是我们持续前进的动力，如果您需要采购或BOM报价，欢迎随时咨询我们。
