制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
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RoHS: N
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-223-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 1.1 A
Rds On-漏源导通电阻: 620 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.79 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 21.4 ns
正向跨导 - 最小值: 1.2 S / 0.6 S
高度: 1.6 mm
长度: 6.5 mm
产品: MOSFET Small Signals
产品类型: MOSFETs
上升时间: 7.9 ns
1000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: SIPMOS Small Signal Transistor
典型关闭延迟时间: 37.4 ns
典型接通延迟时间: 5.2 ns
宽度: 3.5 mm
单位重量: 112 mg
