极性N-CH
耗散功率1.8W (Ta)
漏源极电压(Vds)60 V
连续漏极电流(Ids)1.8A
输入电容(Ciss)368pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)1.8W (Ta)
封装参数
安装方式Surface Mount
封装SOT-223-4
外形尺寸
封装SOT-223-4
物理参数
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
符合标准
RoHS标准RoHS Compliant
MOSFET BSP295L6327HTSA1 Infineon(英飞凌) SOT-223-4
摘要
BSP295L6327HTSA1 Infineon(英飞凌)SOT-223-4
深圳市天卓伟业电子有限公司
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