MOSFET BSP295E6327T Infineon(英飞凌) SOT-223-4

额定电压(DC)50.0 V

额定电流1.80 A

极性N-CH

耗散功率1.8W (Ta)

输入电容368 pF

栅电荷17.0 nC

漏源极电压(Vds)60 V

连续漏极电流(Ids)1.80 A

上升时间20.0 ns

输入电容(Ciss)368pF @25V(Vds)

耗散功率(Max)1.8W (Ta)

封装参数

安装方式Surface Mount

封装SOT-223-4

外形尺寸

封装SOT-223-4

物理参数

工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)

其他

产品生命周期Obsolete