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MOSFET BSP295E6327 Infineon(英飞凌) SOT-223-4

发布时间2025-5-8 10:56:00关键词:BSP295E6327
摘要

BSP295E6327 800000PCS

BSP295E6327

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-223-4

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 1.8 A

Rds On-漏源导通电阻: 300 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.8 W

通道模式: Enhancement

封装: Reel

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 9.9 ns

高度: 1.6 mm

长度: 6.5 mm

产品: MOSFET Small Signals

产品类型: MOSFETs

上升时间: 9.9 ns

子类别: Transistors

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 27 ns

典型接通延迟时间: 5.4 ns

宽度: 3.5 mm

单位重量: 250.200 mg