类别
分立半导体产品晶体管
FET，MOSFET单 FET，MOSFET
制造商Infineon Technologies
系列SIPMOS®
包装卷带（TR）
零件状态停产FET 类型
N 通道技术
MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)120mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）45 欧姆 @ 120mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.3V @ 94µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）6.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）150 pF @ 25 V
FET 功能-功率耗散（最大值）1.8W（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-SOT223-4
封装/外壳TO-261-4，TO-261AA
